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儲(chǔ)能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會(huì)加速替代IGBT

   2024-06-08 32
核心提示:為什么在儲(chǔ)能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會(huì)加速替代IGBT!使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲(chǔ)能變流器PCS!-傾佳電子

為什么在儲(chǔ)能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會(huì)加速替代IGBT!

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲(chǔ)能變流器PCS!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT儲(chǔ)能變流器PCS,實(shí)現(xiàn)超高的儲(chǔ)能變流器PCS平均效率,更小的儲(chǔ)能變流器PCS體積重量!更低的儲(chǔ)能變流器PCS成本!更高的儲(chǔ)能變流器PCS功率密度!


隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!


傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!



基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類儲(chǔ)能變流器PCS,比如電站集中式儲(chǔ)能變流器PCS,工商業(yè)模塊化儲(chǔ)能變流器PCS,戶用儲(chǔ)能PCS等。


儲(chǔ)能變流器PCS是連接儲(chǔ)能電池系統(tǒng)和電網(wǎng)的雙向電流可控轉(zhuǎn)換裝置,決定了新型儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率和安全,影響著新型儲(chǔ)能系統(tǒng)的使用壽命。儲(chǔ)能變流器的核心作用疊加新型儲(chǔ)能電站裝機(jī)規(guī)模攀升,使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲(chǔ)能變流器PCS享受市場(chǎng)快速擴(kuò)張紅利。目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈,使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲(chǔ)能變流器PCS競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)較明顯。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET儲(chǔ)能PCS替代IGBT模塊方案。SiC以耐高壓、耐高溫、體積小、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì),規(guī)避了IGBT技術(shù)壁壘、產(chǎn)能受限的問題.

儲(chǔ)能變流器技術(shù)發(fā)展集中在軟件和硬件兩大領(lǐng)域。構(gòu)網(wǎng)型變流器的控制模式(算法)快速迭代。其主要應(yīng)用在新能源配套和獨(dú)立儲(chǔ)能電站等場(chǎng)景,因?yàn)樗梢苑€(wěn)定整個(gè)電網(wǎng)、改善系統(tǒng)穩(wěn)定性,所以該技術(shù)在以上兩個(gè)主要應(yīng)用場(chǎng)景滲透比例高。國內(nèi)主要構(gòu)網(wǎng)型變流器廠商在該項(xiàng)技術(shù)上取得了一定突破。

構(gòu)網(wǎng)型iC碳化硅MOSFET儲(chǔ)能PCS硬件與構(gòu)網(wǎng)型變流器控制模式緊密相關(guān),iC碳化硅MOSFET儲(chǔ)能PCS須具備較強(qiáng)的支撐能力,實(shí)現(xiàn)瞬間輸出較大有功、無功電流,發(fā)揮較強(qiáng)的支撐作用,且有較快的響應(yīng)速度。


IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會(huì)下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。


為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。


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